视频解说/ VIDEO
产品参数详解/ PRODUCT PARAMETERS
测试第二个 超结MOS产品上传测试
超结MOSFET
Super Junction MOSFET
1、工艺介绍：
超结MOSFET（英文全称：Super Junction Metal Oxide Semiconductor Foeld Transistor，简称SJ MOS）,在传统高压平面VDMOS基础上，采用先进的深沟槽与多次外延工艺，通过在器件内部构建交替排列的P型柱区，有效平衡电场分布，使垂直方向的电场趋近矩形，具有极低的导通内阻RDS(ON)和栅极电荷QG,相比传统高压平面VDMOS，超结MOS明显降低了导通内阻和开关损耗，该技术特别适用于高频率、高功率密度应用场景，有助于系统整体效率的提升；
超结MOS相比传统平面VDMOS，同等内阻下显著提升耐压性能；同等耐压下可将导通电阻大幅降低至传统方案VDMOS的1/8以内，实现更优的导通损耗与耐压能力平衡。。
2、产品特性：
极低的导通电阻（RDS(on)），有效降低导通损耗
优异的开关性能，栅极电荷（Qg）小，开关速度快
高功率密度设计，适用于紧凑型电源架构
良好的热稳定性与可靠性，适用于高温工作环境
3、应用领域：
车载充电机（OBC）
服务器电源 通信电源
充电桩 车载DC/DC变换器
工业电源、适配器 TV电源
新能源领域（如光伏逆变器、储能系统）
LED照明驱动
PC与数据中心电源
正向电流
反向耐压
浪涌电流
漏电流
操作温度
合作伙伴/ PARTNER
联系我们/ CONTACT US
销售一部：0755-83235680
销售二部：0755-83239557
销售三部：0755-83239588
海外销售部:(+86)0755-83231856
24小时值班电话：15112282007
400电话：400-9929-667
邮箱：sales@asemi88.com
传真：0755-83979773